| |
|
|
|
| |
|
|
|
Рафинирование металловРафинирование металлов - очистка первичных (черновых) металлов от примесей. Черновые металлы, получаемые из сырья, содержат 96-99 процента основного металла, остальное приходится на примеси. Подобные металлы не могут применяться промышленностью ч/з низкие физико-химические и механические свойства. Примеси, содержащиеся в черновых металлах, могут иметь свою ценность. Так, стоимость золота и серебра, извлеченные из меди, целиком окупает все затраты на Рафинирования. Различают 3 главных способа рафинирования: пірометалургійний, химический и электролитический. В основе всех методов лежит отличие свойств элементов, которые разделяются: температур плавления, плотности, электроотрицательности и т.д. Для получения чистых металлов часто применяют последовательно несколько методов рафінування.
Пирометалургическое рафинирование
Производится при высокой температуре в расплавах и имеет ряд разновидностей. Окислительное рафинирования основано на способности некоторых примесей образовывать с O, S, Cl, F прочные соединения, чем соединения основного металла с теми же элементами. Метод применяется, к примеру, для очистки Cu, Pb, Zn, Sn. Так, при продувке жидкой меди воздухом примеси Fe, Ni, Zn, Pb, As, Sb, Sn, что имеют большее сродство к кислороду, чем Cu, образуют оксиды, которые всплывают на поверхность ванны и удаляются.
Лікваційне разделение основано на отличия температур плавления и плотности компонентов, которые составляют сплав, и на малой их взаимной растворимости. К примеру, при охлаждении жидкого чернового свинца из него при конкретных температурах выделяются кристаллы Cu (т.н. шлікери), которые из-за меньшей плотности всплывают на поверхность и удаляются. Метод применяется для очистки чернового свинца от Cu, Ag, Au, Bi, очистки чернового цинка от Fe, Cu, Pb, при Р. Sn и иных металлов.
При фракционной перекристаллизации используется в отличие растворимости примесей металла в жидкой и твердой фазах с учетом медленной диффузии примесей в твердой фазе. Метод применяется в производстве полупроводниковых материалов и для получения металлов высокой чистоты (к примеру, зонная плавка, плазменная металлургия, вытягивания монокристаллов из расплава, направленная кристаллизация).
|
|
|
|
|
|
|